|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SO |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -45°C ~ 125°C |
| Напряжение питания | 8 V ~ 16.6 V |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 600V |
| Число выходов | 2 |
| Число конфигураций | 1 |
| Ток пиковое значение | 400mA |
| Тип входа | Inverting |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
IRFB17N50L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB17N50L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFB17N50L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET |
|
227.88 | ||
|
|
|
IRFB17N50L |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
LM4871M | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM4871M |
|
78.32 | |||||
|
|
LM4871M | NSC |
|
|
||||
|
|
LM4871M | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM4871M | США |
|
|
||||
|
|
LM4871M | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
||||
|
|
LM4871M | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM4871M | 4-7 НЕДЕЛЬ | 25 |
|
||||
|
|
|
STGY40NC60VD |
|
N-канальный быстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 50 а | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGY40NC60VD |
|
N-канальный быстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 50 а | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGY40NC60VD |
|
N-канальный быстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 50 а | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STGY40NC60VD |
|
N-канальный быстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 50 а |
|
1 283.40 |