Версия для печати
Технические характеристики IRFP340

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 6.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	62nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

IRFP340 Power Mosfet (vdss=400v, Rds (on) =0.55ohm, Id=11a) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFP340 datasheet 175.92Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	DC COMPONENTS
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	DIOTEC	24	6.54
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс		232	12.95
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	---
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	КИТАЙ
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	GOOD-ARK
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	SUNTAN
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	KLS
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	WUXI XUYANG
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	ASEMI	2 640	1.86  >100 шт.   0.93
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	SUNMATE	3 164	4.21
		BC817-40-7-F			DIODES
		BC817-40-7-F			DI
		BC817-40-7-F			DIODES INC.	2 094
		BC817-40-7-F			Diodes Inc
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	4	1.54
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONS	50	4.43
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	794
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTO
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	0.00
		STP11NK40ZFP		N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRONICS
		STP11NK40ZFP		N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	STMicroelectronics
		STP11NK40ZFP		N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	КИТАЙ
		STP11NK40ZFP		N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP11NK40ZFP		N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS	33	44.21
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		4 248	35.68
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	623

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"