IRF6633

Версия для печати

Технические характеристики IRF6633

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	16A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1410pF @ 10V
Power - Max	2.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric MU
Корпус	DIRECTFET™ MU

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6633 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6633 datasheet
274.6 Кб