IRF6100

Версия для печати

Технические характеристики IRF6100

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1230pF @ 15V
Power - Max	2.2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	4-FlipFet™
Корпус	4-FlipFet™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6100 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6100 datasheet
618.6 Кб