HUF75829D3
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | UltraFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 18A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 70nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1080pF @ 25V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус | I-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
HUF75829D3 18A, 150V, 0.110 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Также в этом файле: HUF75829D3S, HUF75829D3ST
Производитель:
|
