HUF75329D3

Версия для печати

Технические характеристики HUF75329D3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	UltraFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	65nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1060pF @ 25V
Power - Max	128W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Корпус	I-Pak
Product Change Notification	Product Discontinuation 09/Sept/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HUF75329D3 (N-канальные транзисторные модули)

20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

Также в этом файле: HUF75329D3S, HUF75329D3ST

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

HUF75329D3 datasheet
223.54Kb
10стр.