FQAF11N90


900v n-channel mosfet

FQAF11N90 (заказ)
FQAF11N90

Технические характеристики FQAF11N90

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияQFET™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs960 mOhm @ 3.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C7.2A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs94nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3500pF @ 25V
Power - Max120W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-3PF-3
КорпусTO-3PF
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru