FDS5672
N-channel powertrench mosfet
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 12A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDS5672 N-Channel PowerTrenchand#174; MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LM5007MM | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM5007MM | NSC |
|
|
||||
|
|
LM5007MM |
|
347.08 | |||||
|
|
LM5007MM | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM5007MM | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM5007MM | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LM5007MM | TEXAS INSTRUMENTS | 26 |
|
||||
|
|
LM5007MM | 4-7 НЕДЕЛЬ | 345 |
|
||||
| PIC18F2620-I/SO |
|
64K Flash 25I/O 40MHz |
|
1 340.00 | ||||
| PIC18F2620-I/SO |
|
64K Flash 25I/O 40MHz | MICRO CHIP |
|
|
|||
| PIC18F2620-I/SO |
|
64K Flash 25I/O 40MHz | Microchip Technology |
|
|
|||
| PIC18F2620-I/SO |
|
64K Flash 25I/O 40MHz | MICRO CHIP |
|
|
|||
| PIC18F2620-I/SO |
|
64K Flash 25I/O 40MHz | 4-7 НЕДЕЛЬ | 492 |
|
|||
| КЛЕЙ ТЕПЛОПРОВОДНЫЙ РАДИАЛ |
|
|
||||||
| КЛЕЙ ТЕПЛОПРОВОДНЫЙ РАДИАЛ | УДАЛЕНО |
|
|
|||||
| КЛЕЙ ТЕПЛОПРОВОДНЫЙ РАДИАЛ | KELLER |
|
|
