FDR8308P
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1240pF @ 10V |
| Power - Max | 800mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SSOT, SuperSOT-8 |
| Корпус | 8-SSOT |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDR8308P (P-канальные транзисторные модули) Dual P-channel, Logic Level, Powertrenchtm Mosfet
Производитель:
|
