FDC3612

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDC3612 (FAIRCHILD.)	59	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики FDC3612

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 2.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	660pF @ 50V
Power - Max	800mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-SSOT, SuperSOT™-6
Корпус	6-SSOT
Product Change Notification	Cu Wire Change 30/July/2007 Cu Wire Change 27/Sept/2007 Mold Compoun

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDC3612 (Мощные полевые МОП транзисторы)

100v N-channel Powertrench Mosfet

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FDC3612 datasheet
135.44Kb
5стр.