FDB16AN08A0

Версия для печати

Технические характеристики FDB16AN08A0

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 58A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	58A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1857pF @ 25V
Power - Max	135W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	TO-263AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDB16AN08A0 (MOSFET)

N-Channel PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDB16AN08A0 datasheet
267.5 Кб