|
|
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3296P-2К |
|
Потенциометр - резистор подстроечный | CHINA |
|
|
|||
| 3296P-2К |
|
Потенциометр - резистор подстроечный | CHINA NATIONAL | 20 | 23.59 | |||
| 3296P-2К |
|
Потенциометр - резистор подстроечный |
|
25.32 | ||||
| 3296P-2К |
|
Потенциометр - резистор подстроечный | 0.00 |
|
|
|||
|
|
|
MMBFJ177LT1G |
|
ON Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
MMBFJ177LT1G |
|
ONS | 18 | 18.43 | ||
|
|
|
MMBFJ177LT1G |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
MMBFJ177LT1G |
|
|
|
|||
|
|
|
MMBFJ177LT1G |
|
KLS |
|
|
||
|
|
|
SCS-08 |
|
Панелька для микросхем 8 конт., 1А, 0,02Ом | 2 064 | 1.69 | ||
|
|
|
SCS-08 |
|
Панелька для микросхем 8 конт., 1А, 0,02Ом | BM |
|
|
|
|
|
|
КТ315Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ... | 51 821 | 5.58 | ||
|
|
|
КТ315Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ... | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ315Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ... | ТОМСК |
|
|
|
|
|
|
КТ315Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ... | КВАРЦИТ |
|
|
|
| РТТ-211 20А |
|
тепловое реле РТТ-211; РТТ-211 20А |
|
1 363.40 |