Версия для печати
Технические характеристики BZX84-B3V3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	3.3V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	900mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 1V
Допустимые отклонения емкости	±2%
Power - Max	250mW
Impedance (Max) (Zzt)	95 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10MQ100N		Диод Шоттки 2.1А, 100В	VISHAY
		10MQ100N		Диод Шоттки 2.1А, 100В	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10MQ100N		Диод Шоттки 2.1А, 100В			22.04
		10MQ100N		Диод Шоттки 2.1А, 100В	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10MQ100N		Диод Шоттки 2.1А, 100В	Vishay/Semiconductors
		10MQ100N		Диод Шоттки 2.1А, 100В	КИТАЙ
		10MQ100N		Диод Шоттки 2.1А, 100В	LGE	28 120	4.54
		10MQ100N		Диод Шоттки 2.1А, 100В	KLS
		10MQ100N		Диод Шоттки 2.1А, 100В	HOTTECH	58 948	7.11
		10MQ100N		Диод Шоттки 2.1А, 100В	KEENSIDE
		10MQ100N		Диод Шоттки 2.1А, 100В	KEEN SIDE	4 554	3.61
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NXP	6 360	2.12
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIODES
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC	1	4.39
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS	1 052	1.70
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DC COMPONENTS	14 045	2.30
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WTE
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WILLAS ELECTRONIC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIRCHILD
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	MCC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIRCHILD	1 304
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NXP	149
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	OTHER	44
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS	1 404
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WILLAS ELECTRONIC CORP
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	UTC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GALAXY	349	1.73
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	Fairchild Semiconductor
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS SEMIC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	КИТАЙ
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ZETEX
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	VISHAY
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...		16 491	1.52  >100 шт.   0.76
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONS-FAIR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YJ	252 738	1.03
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GALAXY ME
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	LRC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC ELECTRONICS CORP
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR AG	100
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	HOTTECH	155 681	1.72  >100 шт.   0.86
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	KLS
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	SUNTAN
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PANJIT	24 773
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GOOD-ARK SEMICONDUCTOR	27
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	SEMTECH
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YANGJIE	14 400	1.03
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YANGJIE (YJ)
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WUXI XUYANG
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONSEMICONDUCTOR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NEX-NXP	62	3.10
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONS
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	TWGMC	38 012	1.23
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	OLITECH	58	1.88
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	JSCJ	54 880	1.67
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YOUTAI	7 857	1.37
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	1
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	JINGDAO	2 016	1.26  >500 шт.   0.42
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NEXPERIA	1 832	1.70
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ASEMI	123 297	1.47  >500 шт.   0.49
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YANGZHOU YANGJIE
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOS	36	1.35  >500 шт.   0.45
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	KEEN SIDE
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	MERRYELC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	1996
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	2300
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	2975
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	2520
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	27000
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	RUME	74 400	1.24  >100 шт.   0.62
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	TRR	141 200	1.24  >100 шт.   0.62
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	1	9.63
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	245 510	2.23
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	46 655	2.66
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		47 671	1.16  >100 шт.   0.58
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	3 467	1.70
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	5.47
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	649 649	1.14  >100 шт.   0.57
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	426	1.96  >100 шт.   0.98
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA	95 404	1.09
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	220	1.23
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	2 913	1.94  >100 шт.   0.97
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	1 527 414	0.90  >500 шт.   0.30
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	571 688	1.61
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	135 256	1.73
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	273 600	1.32  >500 шт.   0.44
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	429	1.11  >500 шт.   0.37
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	8 384	1.02  >500 шт.   0.34
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	1 710	1.70
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	CJ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGZHOU YANGJIE
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEEN SIDE	173 388	1.26  >500 шт.   0.42
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	2138
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	4334
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ASEMI	166 463	1.20  >500 шт.   0.40
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	19480
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	22054
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	643
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	1054
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	543
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGZHOUYANGJIEEL	591 996	1.72  >100 шт.   0.86
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		764	13.13
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	476	14.46
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	72	3.73
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	20 823	10.44
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	RUME	3 958	3.41
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	TRR	6 400	3.52
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	98.38
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERSIL
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...		684	79.55
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	ФИЛИППИНЫ
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INFINEON
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	1
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	YOUTAI	6 193	22.72
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	WS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"