Версия для печати
Технические характеристики BZV85-C47

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	47V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 50mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	50nA @ 33V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Power - Max	1.3W
Impedance (Max) (Zzt)	100 Ohm
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	DO-204AL, DO-41, Axial
Корпус	DO-41
Рабочая температура	-65°C ~ 200°C

BZV85 Voltage regulator diodes Также в этом файле: BZV85-C47 Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com BZV85-C47 datasheet 57.48Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		B64290-L743-X87		Кольцо-ферритовое Форма, материал: тороид, N87, 1190 нГ ±25% Размер: радиус 16мм, 9х5мм	EPCOS
		B64290-L743-X87		Кольцо-ферритовое Форма, материал: тороид, N87, 1190 нГ ±25% Размер: радиус 16мм, 9х5мм	EPCS
		B64290-L743-X87		Кольцо-ферритовое Форма, материал: тороид, N87, 1190 нГ ±25% Размер: радиус 16мм, 9х5мм
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	800	7.56
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	17 682	1.71
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	1 651	3.05
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MCC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DI
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR	2 181
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	STMicroelectronics
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP SEMIC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	МАЛАЙЗИЯ
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON TECH
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		4	2.52
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIODES
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	264 046	1.58  >100 шт.   0.79
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DCCOMPONENTS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN	145 638	1.56  >100 шт.   0.78
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	102 099	1.66  >100 шт.   0.83
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	1
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KEFAN
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SLKOR	192 622	1.17  >500 шт.   0.39
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NEXPERIA	66 240	1.38
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PLINGSEMIC	140 488	1.36  >100 шт.   0.68
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	NXP
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	PHILIPS
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	NXP	44
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	PHILIPS	92
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	PHILIPS SEMIC
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	NEX-NXP
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	NXP/NEXPERIA
		HEF4011BT		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C	4-7 НЕДЕЛЬ	422
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET			13.76
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	МАЛАЙЗИЯ
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INFINEON
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	HOTTECH	86 140	3.10
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	KLS
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	SUNTAN	18 088	7.37
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	KEENSIDE	5 489	1.83
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	YOUTAI	20 004	2.01
		MCP73812T-420I/OT		Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА	MICRO CHIP
		MCP73812T-420I/OT		Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА		711	69.73
		MCP73812T-420I/OT		Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА	Microchip Technology
		MCP73812T-420I/OT		Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА	4-7 НЕДЕЛЬ	434

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"