| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
NXP
|
4 124
|
14.32
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
|
8
|
22.20
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
NXP
|
160
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
PHILIPS
|
35
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
HTC
|
444
|
30.20
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
331
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
NXP/NEXPERIA
|
1 733
|
12.84
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
NEX-NXP
|
21
|
15.01
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
11.07
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
227 538
|
2.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
44 859
|
2.85
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
47 671
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 555 762
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
102 515
|
1.16
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
2 865
|
1.05
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 514 606
|
0.99
>500 шт. 0.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
524 257
|
1.73
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
127 255
|
1.87
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
271 200
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
533
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 686
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
173 380
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
69
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
591 996
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
|
BSP317E6327 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BSP317E6327 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
OP07CDR |
|
Операционный усилитель - [SOIC-8-3.9]; Тип ОУ: Стандартный; Каналы: 1; Uпит: 3...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
OP07CDR |
|
Операционный усилитель - [SOIC-8-3.9]; Тип ОУ: Стандартный; Каналы: 1; Uпит: 3...18 В; ...
|
|
4 720
|
10.63
|
|
|
|
OP07CDR |
|
Операционный усилитель - [SOIC-8-3.9]; Тип ОУ: Стандартный; Каналы: 1; Uпит: 3...18 В; ...
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
OP07CDR |
|
Операционный усилитель - [SOIC-8-3.9]; Тип ОУ: Стандартный; Каналы: 1; Uпит: 3...18 В; ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
OP07CDR |
|
Операционный усилитель - [SOIC-8-3.9]; Тип ОУ: Стандартный; Каналы: 1; Uпит: 3...18 В; ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
OP07CDR |
|
Операционный усилитель - [SOIC-8-3.9]; Тип ОУ: Стандартный; Каналы: 1; Uпит: 3...18 В; ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
OP07CDR |
|
Операционный усилитель - [SOIC-8-3.9]; Тип ОУ: Стандартный; Каналы: 1; Uпит: 3...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
OP07CDR |
|
Операционный усилитель - [SOIC-8-3.9]; Тип ОУ: Стандартный; Каналы: 1; Uпит: 3...18 В; ...
|
YOUTAI
|
13 962
|
12.41
|
|
|
|
OP07CDR |
|
Операционный усилитель - [SOIC-8-3.9]; Тип ОУ: Стандартный; Каналы: 1; Uпит: 3...18 В; ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
398
|
|
|
|
|
|
PC410L0NIP0F |
|
|
SHARP
|
|
|
|
|
|
|
PC410L0NIP0F |
|
|
Sharp Microelectronics
|
|
|
|
|
|
|
PC410L0NIP0F |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PC410L0NIP0F |
|
|
SHARP
|
|
|
|
|
|
|
PC410L0NIP0F |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
736
|
|
|