BSP130
N-channel enhancement mode vertical d-mos transistor
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 250mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 350mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 120pF @ 25V |
| Power - Max | 1.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSP130 (MOSFET) N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DIN41612-364FSD(AC) |
|
189.92 | ||||||
| DIN41612-364FSD(AC) | HSUAN MAO |
|
|
|||||
| DIN41612-364MRD(AC) |
|
145.60 | ||||||
| DIN41612-364MRD(AC) | HSUAN MAO |
|
|
