BSP030

Версия для печати

Технические характеристики BSP030

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	770pF @ 24V
Power - Max	8.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSP030 (MOSFET)

N-channel enhancement mode field-effect transistor

Производитель:
NXP

BSP030 datasheet
351.4 Кб