BSL211SP
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | OptiMOS™ |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 654pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSOP |
| Корпус | P-TSOP6-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSL211SP (Полевые МОП транзисторы) OptiMOS-P Small-Signal-Transistor
Производитель:
|
