BFG67/X
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Power - Max | 380mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 15mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-253-4, TO-253AA |
| Корпус | SOT-143B |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BFG67/X (Радиочастотные биполярные транзисторы) NPN 8 GHz wideband transistors Также в этом файле: BFG67/X, BFG67/XR, BFG67/XR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
3314G-1-100E |
|
Bourns Inc |
|
|
||
|
|
|
3314G-1-100E |
|
BOURNS | 811 | 50.31 | ||
|
|
|
3314G-1-100E |
|
|
|
|||
 |
3314J-1-500E |
|
Потенциометр 50 Ом | BOURNS | 276 | 45.08 | ||
|
|
3314J-1-500E |
|
Потенциометр 50 Ом | BOURNS |
|
|
||
|
|
3314J-1-500E |
|
Потенциометр 50 Ом | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314J-1-500E |
|
Потенциометр 50 Ом |
|
|
|||
| CECL-1200/96 122K |
|
7.80 | ||||||
| CECL-1200/96 122K | R6 |
|
|
|||||
 |
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | BOURNS | 13 896 | 14.30 | |
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 |
|
19.84 | ||
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | ВОURNS |
|
|
|
| GRM188R71E104KA01D | MURATA | 93 201 | 1.09 | |||||
| GRM188R71E104KA01D | MURATA | 15 360 |
|
|||||
| GRM188R71E104KA01D | Murata Electronics North America |
|
|
|||||
| GRM188R71E104KA01D | 184 |
|
||||||
| GRM188R71E104KA01D | MUR | 462 285 |
1.23 >500 шт. 0.41 |
