BFG25AW
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
| Frequency - Transition | 5GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 2dB @1GHz |
| Power - Max | 500mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500µA, 1V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6.5mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-343 Reverse Pinning |
| Корпус | 4-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BFG25AW/X (Радиочастотные биполярные транзисторы) NPN 5 GHz wideband transistors
Производитель:
|
