BC847BPDXV6T1
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 500mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-563 |
| Корпус | SOT-563 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BC847BPDXV6T1 (Универсальные биполярные транзисторы) Dual General Purpose Transistor NPN / PNP Dual (Complimentary)
Производитель:
|
