| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2SA1625 |
|
Биполярный транзистор PNP (400V, 0.5A, 0.75W)
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
2SA1625 |
|
Биполярный транзистор PNP (400V, 0.5A, 0.75W)
|
|
6 608
|
6.07
|
|
|
|
|
2SA1625 |
|
Биполярный транзистор PNP (400V, 0.5A, 0.75W)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
2SA1625 |
|
Биполярный транзистор PNP (400V, 0.5A, 0.75W)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
|
2SA1625 |
|
Биполярный транзистор PNP (400V, 0.5A, 0.75W)
|
JSCJ
|
3 563
|
1.96
|
|
|
|
BAT43 |
|
Диод Шоттки 30V 0,1A DO35
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT43 |
|
Диод Шоттки 30V 0,1A DO35
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAT43 |
|
Диод Шоттки 30V 0,1A DO35
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAT43 |
|
Диод Шоттки 30V 0,1A DO35
|
|
789
|
7.40
|
|
|
|
BAT43 |
|
Диод Шоттки 30V 0,1A DO35
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2 064
|
|
|
|
|
BAT43 |
|
Диод Шоттки 30V 0,1A DO35
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BAT43 |
|
Диод Шоттки 30V 0,1A DO35
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
|
|
380.56
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
KB
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
|
|
|
|
|
|
RLB1314-103KL |
|
Индуктивность 10000μH 0,1A 11,7x12mm
|
BOURNS
|
4
|
41.29
|
|
|
|
RLB1314-103KL |
|
Индуктивность 10000μH 0,1A 11,7x12mm
|
|
|
132.00
|
|