|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DC COMPONENTS
|
360 559
|
1.25
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
|
90 109
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC
|
127
|
1.91
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 171
|
1.51
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YJ
|
596 936
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
1 024
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE
|
26 400
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
HOTTECH
|
223 767
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSCJ
|
503 549
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
TRR
|
108 000
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSMICRO
|
235 271
|
0.90
>500 шт. 0.30
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
XXW
|
8 160
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
3314G-1-203 |
|
Резистор подстроечный однооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3314G-1-203 |
|
Резистор подстроечный однооборотный
|
|
|
101.04
|
|
|
|
3314G-1-203 |
|
Резистор подстроечный однооборотный
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
3314G-1-203 |
|
Резистор подстроечный однооборотный
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
|
8
|
34.02
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
NXP
|
640
|
8.40
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
PHILIPS
|
298
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
NXP
|
146
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
HOTTECH
|
21 052
|
5.86
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
YJ
|
16 990
|
4.62
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
ASEMI
|
20
|
4.03
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
1
|
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
KOME
|
532
|
4.86
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
SUNTAN
|
11 369
|
5.87
|
|
|
|
LQH32MN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210)
|
|
1
|
86.40
|
|
|
|
LQH32MN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210)
|
MURATA
|
9
|
10.33
|
|
|
|
LQH32MN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210)
|
MUR
|
44 107
|
5.84
|
|
|
|
LQH32MN470K23L |
|
|
MUR
|
794
|
7.87
|
|
|
|
LQH32MN470K23L |
|
|
|
|
|
|
|
|
LQH32MN470K23L |
|
|
MURATA
|
1
|
9.30
|
|