BA4558F-E2
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Число каналов | 2 |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 1.2 V/µs |
| Полоса пропускания | 2MHz |
| Ток - входного смещения | 60nA |
| Напряжение входного смещения | 500µV |
| Ток выходной | 3mA |
| Ток выходной / канал | 10mA |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 8 V ~ 30 V, ±4 V ~ 15 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Корпус | 8-SOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MJE13003G |
|
Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=3A, P=40W, B=10-80, -65 to +150C) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MJE13003G |
|
Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=3A, P=40W, B=10-80, -65 to +150C) | ONS |
|
|
|||
| MJE13003G |
|
Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=3A, P=40W, B=10-80, -65 to +150C) |
|
96.40 | ||||
| MJE13003G |
|
Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=3A, P=40W, B=10-80, -65 to +150C) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MJE13003G |
|
Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=3A, P=40W, B=10-80, -65 to +150C) | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| PIC10F200T-I/OT |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz | MICRO CHIP | 9 818 | 69.48 | |||
| PIC10F200T-I/OT |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz | 3 405 | 52.48 | ||||
| PIC10F200T-I/OT |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz | MICRO CHIP | 1 901 |
|
|||
| PIC10F200T-I/OT |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz | Microchip Technology |
|
|
|||
| PIC10F200T-I/OT |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz | MCHIP |
|
|
|||
| PIC10F200T-I/OT |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz | 4-7 НЕДЕЛЬ | 445 |
|
|||
| К10-17Б-Y5V-0.68МКФ 50В (-20%+80%) |
|
|
||||||
 |
К10-17Б-Н90-0.1 МКФ |
|
|
|||||
| К73-17-63В-2.2МКФM |
|
|
