2SK3132
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 280nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 11000pF @ 10V |
| Power - Max | 250W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-3P(L) (2-21F1B) |
| Корпус | TO-3P(L) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SK3132 (Полевые МОП транзисторы) Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
Производитель:
|
