Версия для печати
Технические характеристики 2N6520TA

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	350V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 50mA, 10V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	200MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Корпус	TO-92-3
Product Change Notification	Fe Wire Change 12/Oct/2007

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	SEMICRON
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	ST MICROELECTRONICS	400	32.79
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	DC COMPONENTS
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	EIC
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	SMK
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в			51.24
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	Littelfuse Inc
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	STMicroelectronics
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	КИТАЙ
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	ТАИЛАНД
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	LITTELFUSE
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	VISHAY
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	STMICROELECTR
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	BRIGHTKING
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	LITTELFUSE	666
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	MIG
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	JJM
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	ASEMI
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	HOTTECH
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	KOME	148	8.11
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	SUNTAN	635	12.84
		1.5KE350CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в	SUNMATE	1 870	11.73
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	14 792	3.49
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 410	3.98
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	672	13.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.24
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		1 600	2.00  >100 шт.   1.00
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	67 228	0.55  >1000 шт.   0.11
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.96  >100 шт.   0.98
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 580	1.77
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	15 832	1.48  >100 шт.   0.74
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	2 000	1.96  >100 шт.   0.98
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	VISHAY
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт		11	351.50
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	Vishay/Siliconix
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	КИТАЙ
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	INTERSIL
		IRFP460A		Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт	1
		SFH6156-3T		Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс	VISHAY	2 075	22.81
		SFH6156-3T		Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс		1 884	18.66
		SFH6156-3T		Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс	Vishay/Semiconductors
		SFH6156-3T		Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс	VISHAY
		SFH6156-3T		Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс	KLS
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	TEXAS INSTRUMENTS
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В			305.96
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	TEXAS
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C	24
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	МАЛАЙЗИЯ
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	TEXAS INSTRUMEN
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	4-7 НЕДЕЛЬ	601

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"