|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
40
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DC COMPONENTS
|
220
|
2.32
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIOTEC
|
824
|
7.56
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
240
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 212
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
976
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
|
79 056
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
HOTTECH
|
1 168 502
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEX-NXP
|
65 600
|
3.10
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SEMTECH
|
3 026
|
1.11
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YJ
|
1 101 709
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH/NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
CTK
|
2 551
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SUNTAN
|
111 867
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEXPERIA
|
507 822
|
1.06
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
XXW
|
761 671
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
61 241
|
3.25
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
48 828
|
2.37
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
21 534
|
4.39
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
657 746
|
1.77
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
1
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
38
|
12.98
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
264 128
|
8.35
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
UMW
|
26 400
|
3.10
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
|
|
84.00
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
373
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
|
|
69.32
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
356
|
|
|
|
|
PIC18F2550-I/SO |
|
Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz
|
MICRO CHIP
|
7
|
1 575.00
|
|
|
|
PIC18F2550-I/SO |
|
Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz
|
|
|
855.76
|
|
|
|
PIC18F2550-I/SO |
|
Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC18F2550-I/SO |
|
Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC18F2550-I/SO |
|
Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC18F2550-I/SO |
|
Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
355
|
|
|