| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
|
559
|
5.55
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MIC
|
3 087
|
1.72
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
56
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.
|
44
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MOTOROLA
|
53
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
OTHER
|
114
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
PHILIPS
|
70
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
136
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ
|
20 679
|
2.50
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
22
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
DC COMPONENTS
|
16 441
|
3.18
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
BL
|
3 780
|
3.18
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JF
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MASTER INSTRUMENT
|
52
|
10.93
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SUNTAN
|
1
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JY
|
281
|
4.26
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MD
|
397
|
3.18
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
LGE
|
2 099
|
2.23
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ
|
3
|
2.42
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
11475
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
3599
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
4726
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
583
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
13.24
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
78 455
|
1.69
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KLS
|
1 018
|
4.95
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
43 532
|
3.47
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
6
|
3.28
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEEN SIDE
|
11 684
|
2.34
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
60 760
|
3.30
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
2
|
2.58
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
1 415
|
3.52
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
473 243
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
1
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
38
|
6.29
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
352 786
|
8.33
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
UMW
|
16 800
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEEN SIDE
|
13 317
|
2.20
|
|
|
|
|
LM1084IS-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1084IS-ADJ |
|
|
|
|
181.16
|
|
|
|
|
LM1084IS-ADJ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM1084IS-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1084IS-ADJ |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM1084IS-ADJ |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM1084IS-ADJ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
556
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор
|
|
|
34.00
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
К155ИД1 |
|
Высоковольтный 4-разрядный дешифратор
|
-----
|
320
|
289.30
|
|