| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
BOURNS
|
584
|
91.95
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
|
|
520.00
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
BOURNS SENSORS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
OLITECH ELECTRONICS
|
264
|
12.85
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
3 364
|
12.92
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
105
|
16.80
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
774
|
10.34
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
9 704
|
6.10
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
NXP
|
536
|
3.00
|
|
|
|
|
GRM31BR72J103KW01L |
|
Керамический конденсатор 0.01 мкФ 630 В
|
|
|
|
|
|
|
|
GRM31BR72J103KW01L |
|
Керамический конденсатор 0.01 мкФ 630 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
GRM31BR72J103KW01L |
|
Керамический конденсатор 0.01 мкФ 630 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
GRM31BR72J103KW01L |
|
Керамический конденсатор 0.01 мкФ 630 В
|
MUR
|
18 861
|
1.29
|
|
|
|
|
GRM31BR72J103KW01L |
|
Керамический конденсатор 0.01 мкФ 630 В
|
|
|
|
|
|
|
|
GRM31BR72J103KW01L |
|
Керамический конденсатор 0.01 мкФ 630 В
|
MURATA
|
1 845
|
|
|
|
|
|
MJE172 (PNP 3A 80V) |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MJE172 (PNP 3A 80V) |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
АЛ 102 АМ |
|
|
RUS
|
|
|
|