Версия для печати
Технические характеристики LG400M0470BPF-3050

Номинальное напряжение	400 В
Емкость	470 мкФ
Серия	LG
Корпус (размер)	Snap In
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	FAIR
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PHILIPS
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NXP
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	MCC
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )		1 788	2.39
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NXP	16 000
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PHILIPS	28 085
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NEXPERIA
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	SUNTAN
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	WUXI XUYANG	10 127	1.37
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	SEMTECH	78	1.81
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	HOTTECH	70	1.78  >100 шт.   0.89
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	1
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PLINGSEMIC	28 371	1.58  >100 шт.   0.79
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop		304	263.38
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	Fairchild Semiconductor
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FSC
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD	480	362.28
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS-FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS	2	378.47
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ON SEMICONDUCTOR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONSEMICONDUCTOR
		IRGP4068DPBF		IGBT транзистор 600В, 330Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRGP4068DPBF		IGBT транзистор 600В, 330Вт	INFINEON
		IRGP4068DPBF		IGBT транзистор 600В, 330Вт
		VIPER20-E			ST MICROELECTRONICS
		VIPER20-E			STMicroelectronics
		VIPER20-E
		VIPER20-E			4-7 НЕДЕЛЬ	28
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	ST MICROELECTRONICS	324	29.96
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om		5	102.06
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	ST MICROELECTRONICS SEMI
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	STMicroelectronics
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	КИТАЙ
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	ST MICROELECTRO
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	STMICROELECTR
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	1
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	4-7 НЕДЕЛЬ	333

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"