|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
|
1 788
|
2.39
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
16 000
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
28 085
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
WUXI XUYANG
|
10 850
|
1.40
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SEMTECH
|
78
|
1.84
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
HOTTECH
|
33 019
|
1.45
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
1
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PLINGSEMIC
|
15 120
|
1.13
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
730
|
259.07
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
504
|
363.95
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
866
|
367.79
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRGP4068DPBF |
|
IGBT транзистор 600В, 330Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGP4068DPBF |
|
IGBT транзистор 600В, 330Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRGP4068DPBF |
|
IGBT транзистор 600В, 330Вт
|
|
|
|
|
|
|
VIPER20-E |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
VIPER20-E |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
VIPER20-E |
|
|
|
|
|
|
|
|
VIPER20-E |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
28
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 787
|
33.32
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
|
1
|
118.44
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
1
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
333
|
|
|