LG200M1000BPF-3040
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 200 В
|
Версия для печати
| Номинальное напряжение | 200 В |
| Емкость | 1000 мкФ |
| Серия | LG |
| Корпус (размер) | Snap In |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Электролитический алюминиевый |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N4007 |
|
DC COMPONENTS | 65 060 | 1.65 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FSC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MCC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DIC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIC | 278 116 | 1.48 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC | 71 820 | 2.87 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JGD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MING SHUN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
QUAN-HONG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
XR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
COMPACT TECHNOLOGY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DC COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD | 288 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT | 307 692 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE SEMICONDUCT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICROSEMI CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KINGTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ | 296 287 | 1.28 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIODES INC. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MOTOROLA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ ELE-NIC CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
RECTIFIER |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA COM-NTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ELECTRICAL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GEMBIRD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТОМИЛИНО |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
КИТАЙ | 800 | 5.47 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
1 916 | 3.70 | |||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ELZET |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ME |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LGE | 27 | 1.56 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
HOTTECH | 106 064 |
1.02 >500 шт. 0.34 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
KLS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YS | 2 311 | 1.38 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE | 67 064 | 1.49 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE (YJ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
WUXI XUYANG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KUU |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
CHINA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNRISETRON |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
UNKNOWN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BILIN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KEHE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
1 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNTAN | 42 740 | 1.21 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
TWGMC | 62 491 |
1.29 >500 шт. 0.43 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
CTK |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JUXING | 85 | 1.72 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ASEMI | 1 |
1.48 >100 шт. 0.74 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGZHOU YANGJIE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KEEN SIDE | 445 042 |
1.12 >100 шт. 0.56 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
MERRYELC | 240 000 | 1.57 | ||
| 1N60 | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 1N60 |
|
|
||||||
| MF-0,25 100К 1% |
|
|
||||||
| MF-0.25-110 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | CHINA |
|
|
|||
| MF-0.25-110 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | 152 | 2.80 | ||||
 |
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ONS | 3 | 75.03 | |
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A |
|
76.64 | ||
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ON SEMICONDUCTOR | 82 |
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | YJ |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | 1 |
|
|
