|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
|
2 704
|
1.23
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MIC
|
7 376
|
1.22
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
56
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.
|
44
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MOTOROLA
|
53
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
OTHER
|
114
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
PHILIPS
|
70
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
136
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ
|
40 632
|
1.73
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
22
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
DC COMPONENTS
|
18 272
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
28
|
2.31
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
BL
|
3 780
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JF
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MASTER INSTRUMENT
|
52
|
9.45
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SUNTAN
|
1
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JY
|
210
|
4.37
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MD
|
397
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
LGE
|
1 844
|
2.29
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ
|
3
|
2.46
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
|
17 680
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
CJ
|
4 688
|
4.13
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
HOTTECH
|
30 344
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
OMRON
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
LGE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YOUTAI
|
12 996
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
HXY
|
3 984
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
КП304А |
|
Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КП304А |
|
Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...
|
|
|
272.40
|
|
|
|
КП304А |
|
Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
|
4 060
|
29.44
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
МИНСК
|
14 974
|
33.60
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН19А (00-09Г) |
|
|
|
|
|
|