Корпус (размер) | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Тип осцилятора | Internal |
Преобразователи данных | A/D 10x10b |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 4.2 V ~ 5.5 V |
Размер памяти | 1.5K x 8 |
EEPROM Size | 256 x 8 |
Тип программируемой памяти | FLASH |
Размер программируемой памяти | 32KB (16K x 16) |
Число вводов/выводов | 25 |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, HLVD, POR, PWM, WDT |
Подключения | I²C, SPI, UART/USART |
Скорость | 40MHz |
Процессор | PIC |
Размер ядра | 8-Bit |
Серия | PIC® 18F |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC153D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор 4->1 х 2
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC153D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор 4->1 х 2
|
NXP
|
80
|
28.35
|
|
|
|
74HC153D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор 4->1 х 2
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC153D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор 4->1 х 2
|
|
|
33.16
|
|
|
|
74HC153D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор 4->1 х 2
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC153D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор 4->1 х 2
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC153D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор 4->1 х 2
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HC153D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор 4->1 х 2
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
74HC153D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор 4->1 х 2
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
260
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
4 004
|
29.96
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
|
8 288
|
33.30
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
108
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS
|
7 127
|
15.54
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
XINBOLE
|
9 614
|
16.80
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
524
|
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
|
|
137.08
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
4
|
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
NATIONAL
|
20
|
145.20
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
170
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
|
|
268.00
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
MICRO CHIP
|
32
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
765
|
|
|
|
|
SAB6456A |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
SAB6456A |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SAB6456A |
|
|
|
|
1 101.20
|
|
|
|
SAB6456A |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
51
|
|
|