ЧИП ТАНТ. 16V 1.5UF 20% A

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DC-20/20EWA	Линейная шкала 20-сегментов красный 9мКд	KB
DC-20/20EWA	Линейная шкала 20-сегментов красный 9мКд	KINGBRIGHT	178	469.50
DC-20/20EWA	Линейная шкала 20-сегментов красный 9мКд			145.76
DC-20/20EWA	Линейная шкала 20-сегментов красный 9мКд	КИТАЙ
TSAL4400	Светодиод инфракрасный	VISHAY	13 384	18.51
TSAL4400	Светодиод инфракрасный		2 680	27.75
TSAL4400	Светодиод инфракрасный	Vishay/Semiconductors
TSAL4400	Светодиод инфракрасный	VISHAY
КТ315В	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		166 033	5.55
КТ315В	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	НАЛЬЧИК
КТ315В	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ
КТ601АМ			32 330	3.70
КТ601АМ		ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
КТ601АМ		ВОРОНЕЖ	4 830	4.20
КТ601АМ		ВЗПП	800	15.12
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		335	33.12
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	532	28.35
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	2 251	37.80
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	6	42.36
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР