| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
0805-10K 1% |
|
ЧИП - резистор 10 кОм, 1%, 0.125Вт
|
|
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
|
4053B |
|
CMOS три двухканальных мультиплексора/демультиплексора
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
4053B |
|
CMOS три двухканальных мультиплексора/демультиплексора
|
|
|
29.84
|
|
|
|
|
4053B |
|
CMOS три двухканальных мультиплексора/демультиплексора
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
4053B |
|
CMOS три двухканальных мультиплексора/демультиплексора
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
46
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
|
1 788
|
2.39
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
16 000
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
28 085
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
WUXI XUYANG
|
8 198
|
1.35
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SEMTECH
|
78
|
1.79
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
HOTTECH
|
58
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PLINGSEMIC
|
31 116
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
|
|
49.48
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
778
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
|
|
44.88
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
|
NE5534P |
|
Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
250
|
|
|
Версия для печати
