| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
|
|
16.60
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MUR
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
BZX55-C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
DC COMPONENTS
|
14 224
|
1.11
|
|
|
|
|
BZX55-C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55-C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
|
|
1 329.60
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
ZTA-12MHZ |
|
Кварцевый резонатор 12МГц
|
|
|
22.40
|
|
|
|
|
ПОДЛОЖКА 2А1813 (ТО-220) КПТД-2/1-0,20 |
|
|
НОМАКОН
|
|
|
|
|
|
|
ПОДЛОЖКА 2А1813 (ТО-220) КПТД-2/1-0,20 |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
