| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
74HC541N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь 8 бит
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
74HC541N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь 8 бит
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
74HC541N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь 8 бит
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
74HC541N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь 8 бит
|
|
|
43.72
|
|
|
|
|
74HC541N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь 8 бит
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
74HC541N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь 8 бит
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
74HC541N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь 8 бит
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
74HC541N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь 8 бит
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
171
|
|
|
|
|
IRG4BC30U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
|
195.76
|
|
|
|
IRG4BC30U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UDPBF |
|
Транзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UDPBF |
|
Транзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UDPBF |
|
Транзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), ...
|
|
|
|
|
|
|
|
MAR-6 |
|
|
MINI CIRCUITS
|
|
|
|
|
|
|
MAR-6 |
|
|
MINI CIRCUITS
|
|
|
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V)
|
MITSUBISHI
|
|
|
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V)
|
|
|
644.00
|
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V)
|
MIT
|
|
|
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|