X7R 3.3UF 10% 50V
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805 10 КОМ 5% | FENGHUA | 4 000 |
0.65 >1000 шт. 0.13 |
|||||
| 74V1G125CTR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| 74V1G125CTR |
|
14.40 | ||||||
| 74V1G125CTR | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| 74V1G125CTR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| 74V1G125CTR | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|||||
 |
 |
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 840 | 45.36 | ||
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | СВЕТЛАНА |
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ДАЛЕКС |
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
| МЛТ-1-20 КОМ 5% |
|
|
