Версия для печати
Технические характеристики VBH40-05B
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HiPerFET™ |
| FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 116 mOhm @ 30A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 40A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | V2-PAK |
| Корпус | V2-PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
VBH40-05B (MESFET транзисторы)
Module With Hiperfettm H-bridge and Single Phase Mains Rectifier Bridge
Производитель:
IXYS Corporation
|
