|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
D3SBA60 |
|
Диодный мост 3A, 600V
|
SHIN
|
|
|
|
|
|
D3SBA60 |
|
Диодный мост 3A, 600V
|
SHINDENGEN
|
|
|
|
|
|
D3SBA60 |
|
Диодный мост 3A, 600V
|
|
|
86.00
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
309
|
98.28
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
584
|
27.02
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
LM358AD |
|
Микросхема операционный усилитель dual.
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM358AD |
|
Микросхема операционный усилитель dual.
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM358AD |
|
Микросхема операционный усилитель dual.
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
36
|
|
|
|
|
LM358AD |
|
Микросхема операционный усилитель dual.
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
93
|
|
|
|
|
LM358AD |
|
Микросхема операционный усилитель dual.
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM358AD |
|
Микросхема операционный усилитель dual.
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM358AD |
|
Микросхема операционный усилитель dual.
|
|
|
|
|
|
|
LM358AD |
|
Микросхема операционный усилитель dual.
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
532
|
|
|
|
|
MF-0.5 820K 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 820кОм, 5%, 0.5Вт
|
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
|
|
305.96
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C
|
24
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
601
|
|
|