Версия для печати
Технические характеристики UBA2021T

Корпус	14-SO
Корпус (размер)	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Напряжение питания	630V
Ток выходной	1mA
Частота	41.21 ~ 44.59kHz
Тип	CFL/TL Driver
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

UBA2021 (Контроллеры освещения) 630V Driver Ic For Cfl and Tl Lamps Также в этом файле: UBA2021T Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com UBA2021T datasheet 102.96Kb 20стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Контроллеры освещения

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DC COMPONENTS	10 680	3.44
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	UTC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ИНТЕГРАЛ	400	12.49
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DIOTEC	1	9.38
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIRCHILD
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KOREA ELECTRONICS CORPORATION
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	MOTOROLA
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	OTHER
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	PHILIPS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	STMicroelectronics
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	КИТАЙ	12	2.25
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FSC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEC AMERICA (USD)
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...		22 072	1.50  >500 шт.   0.50
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ONS-FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	CJ	4	1.40
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEEN SIDE	15 200	1.10
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	5
		BUZ90		Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	ST MICROELECTRONICS
		BUZ90		Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	SIEMENS
		BUZ90		Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	INFINEON
		BUZ90		Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W			64.24
		BUZ90		Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	КИТАЙ
		BUZ90		Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	ISC
		BUZ90		Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	ISCSEMI
		IRL2505		Транзистор полевой N-канальный 55В,104А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRL2505		Транзистор полевой N-канальный 55В,104А, 200Вт			145.04
		IRL2505		Транзистор полевой N-канальный 55В,104А, 200Вт	КИТАЙ
		IRL2505		Транзистор полевой N-канальный 55В,104А, 200Вт	INFINEON
		IRL2505		Транзистор полевой N-канальный 55В,104А, 200Вт	JSMICRO	237	52.87
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	TEXAS INSTRUMENTS
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В			305.96
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	TEXAS
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C	24
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	МАЛАЙЗИЯ
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	TEXAS INSTRUMEN
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	4-7 НЕДЕЛЬ
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...		3 227	20.24
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	МИНСК	10 530	29.76
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ЗПП МИНСК
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	RUS
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ИНТЕГРАЛ
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ИНТЕГРАЛ-С
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	1058
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	14555
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	3000

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"