Версия для печати
Технические характеристики TS272ID

Корпус	8-SO
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3 V ~ 16 V, ±1.5 V ~ 8 V
Ток выходной / канал	45mA
Ток выходной	1mA
Напряжение входного смещения	1100µV
Ток - входного смещения	1pA
Полоса пропускания	3.5MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	5.5 V/µs
Число каналов	2
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

TS272I (Операционные усилители общего назначения) HIGH PERFORMANCE CMOS DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS Также в этом файле: TS272ID Производитель: STMicroelectronics //www.st.com TS272ID datasheet 208.81Kb 9стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0603-Y5V-0.1UF +80-20% 50V		Керамический конденсатор 0.1 мкФ, 50 В, 20%	MURATA
		0603-Y5V-0.1UF +80-20% 50V		Керамический конденсатор 0.1 мкФ, 50 В, 20%		53	1.72
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAI/QTC
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIR
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	NXP
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FSC
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA			14.92
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIRCHILD
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIRCHILD
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	Fairchild Semiconductor
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	ЯПОНИЯ
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FSC1
		LMV324IDT			ST MICROELECTRONICS
		LMV324IDT			STMicroelectronics
		LMV324IDT			ST MICROELECTRONICS SEMI
		LMV324IDT
		LMV324IDT			4-7 НЕДЕЛЬ	293
		PIC16F627A-I/P		1KX14 FLASH 16I/O 20MHZ DIP18	MICRO CHIP
		PIC16F627A-I/P		1KX14 FLASH 16I/O 20MHZ DIP18			338.28
		PIC16F627A-I/P		1KX14 FLASH 16I/O 20MHZ DIP18	Microchip Technology
		PIC16F627A-I/P		1KX14 FLASH 16I/O 20MHZ DIP18	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		PIC16F627A-I/P		1KX14 FLASH 16I/O 20MHZ DIP18	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		PIC16F627A-I/P		1KX14 FLASH 16I/O 20MHZ DIP18	MICRO CHIP	320
		PIC16F627A-I/P		1KX14 FLASH 16I/O 20MHZ DIP18	4-7 НЕДЕЛЬ	770
		PIC18F1220-I/SO		2Kx16 Flash 16I/O 40MHz	MICRO CHIP
		PIC18F1220-I/SO		2Kx16 Flash 16I/O 40MHz			534.16
		PIC18F1220-I/SO		2Kx16 Flash 16I/O 40MHz	Microchip Technology
		PIC18F1220-I/SO		2Kx16 Flash 16I/O 40MHz	MICRO CHIP
		PIC18F1220-I/SO		2Kx16 Flash 16I/O 40MHz	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		PIC18F1220-I/SO		2Kx16 Flash 16I/O 40MHz	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		PIC18F1220-I/SO		2Kx16 Flash 16I/O 40MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	573

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"