|
|
Версия для печати
| Корпус | DIP-8B |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Мощность (Ватт) | 15W |
| Напряжение выходное | 700V |
| Частотный диапозон | 66 ~ 132kHz |
| Изоляция выхода | Isolated |
| Серия | TOPSwitch®-FX |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
2SC3461 |
|
Биполярный транзистор NPN 1100V, 8A, 120W, 15MHz | SANYO |
|
|
|
|
|
|
2SC3461 |
|
Биполярный транзистор NPN 1100V, 8A, 120W, 15MHz | 5 | 166.32 | ||
|
|
|
2SC3461 |
|
Биполярный транзистор NPN 1100V, 8A, 120W, 15MHz | SAN |
|
|
|
| КД 202А |
|
|
||||||
|
|
КД509А |
|
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные, для применения в импульсных ... | 486 | 4.24 | |||
|
|
КД509А |
|
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные, для применения в импульсных ... | БРЕСТ |
|
|
||
|
|
КД509А |
|
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные, для применения в импульсных ... | 534 |
|
|
||
| КН102И |
|
120.16 | ||||||
| КН102И | ТОМИЛИНО |
|
|
|||||
| КН102И | ИЗОТОП |
|
|
|||||
| КТ 639 А | RUS |
|
|