TECAP 33/10V B 10


Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 10 В

Купить TECAP 33/10V B 10 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
TECAP 33/10V B 10
Версия для печати

Технические характеристики TECAP 33/10V B 10

Номинальное напряжение10 В
Емкость33 мкФ
СерияSCN
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)3528-21
ТипЭлектролитический танталовый
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    32768 HZ(2X6MM)     ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   ВЗПП Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А     760 26.13 
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   INFINEON 12 41.85 
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.   ONS 30 865 4.21 
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.   ON SEMICONDUCTOR 160 цена радиодетали
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.     44 736 2.33 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR 12 2.23 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ONS 63 331 4.86 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)     Заказ радиодеталей 7.20 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR 1 003 цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   GALAXY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
  SDR0805-221KL Дроссель силовой SMD L=220 uH   BOURNS 8 708 29.04 
  SDR0805-221KL Дроссель силовой SMD L=220 uH     Заказ радиодеталей 120.00 
  SDR0805-221KL Дроссель силовой SMD L=220 uH   BOURNS 1 000 цена радиодетали
  SDR0805-221KL Дроссель силовой SMD L=220 uH   КИТАЙ 57 33.60 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход