Версия для печати
Технические характеристики TECAP 100/10V C 10

Номинальное напряжение	10 В
Емкость	100 мкФ
Серия	293D
Корпус (размер)	6032-28
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0805-2.0M 5%		ЧИП — резистор		704	1.20
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...		65 600	1.86  >100 шт.   0.93
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	UTC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	INFINEON
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD	2 248
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	OTHER
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	Fairchild Semiconductor
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	КИТАЙ
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DI
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FSC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DIODES
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONSEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS-FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	LRC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR	256
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	KLS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	PANJIT	1	2.68
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YJ	309 723	1.81
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	HOTTECH	180 985	1.69
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SIKOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JSCJ	28 374	2.63
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YOUTAI	39 064	2.00
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SUNTAN	304	1.46
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SHIKUES
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	EVVO	67 232	1.98
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGZHOU YANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	KEEN SIDE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	9156
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	RUME	2 400	1.66  >100 шт.   0.83
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	TRR	7 200	1.90  >100 шт.   0.95
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	XXW	79 716	1.58  >100 шт.   0.79
		CC1812KKX7RBBB103		Керамический конденсатор 0.01мкФ, 500 В, X7R	YAGEO	16 225	18.87
		CC1812KKX7RBBB103		Керамический конденсатор 0.01мкФ, 500 В, X7R
		LP2985AIM5-3.0			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LP2985AIM5-3.0			NSC
		LP2985AIM5-3.0					54.36
		LP2985AIM5-3.0			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LP2985AIM5-3.0			ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LP2985AIM5-3.0			TEXAS INSTRUMENTS
		LP2985AIM5-3.0			4-7 НЕДЕЛЬ	209
		TECAP 10/16V A 10		Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 16 В	VISHAY
		TECAP 10/16V A 10		Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 16 В	SAMSUNG
		TECAP 10/16V A 10		Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 16 В	SAM
		TECAP 10/16V A 10		Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 16 В

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"