|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
|
12
|
173.88
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
SAN
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
YJ
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
США
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
TSL
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
|
|
282.56
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
|
|
182.40
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
L6562ADTR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 847
|
28.89
|
|
|
|
L6562ADTR |
|
|
|
2 760
|
25.72
|
|
|
|
L6562ADTR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L6562ADTR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
438
|
|
|
|
|
L6562ADTR |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L6562ADTR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
696
|
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
|
|
272.00
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA7377 |
|
УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
500
|
|
|