STP30NF10

Версия для печати

Технические характеристики STP30NF10

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	35A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1180pF @ 25V
Power - Max	115W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP30NF10 (MOSFET)

N-channel 100V - 0.038? - 35A - TO-220 Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP30NF10 datasheet
508.3 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CD4504BM		Texas Instruments
CD4504BM		TEXAS
CD4504BM
CD4504BM		4-7 НЕДЕЛЬ	146
HER308 (3A 1000V)	диод из серии высокоэффективных диодов с малым временем восстановления
PDTC114ET,215		NXP Semiconductors
PDTC114ET,215		NXP
PDTC114ET,215		NEXPERIA
PDTC114ET,215		NEX
PDTC114ET,215		NXP/NEXPERIA
PDTC114ET,215		NEX-NXP
PDTC114ET,215
TC4420EPA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	MICRO CHIP	8	187.58
TC4420EPA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.			277.40
TC4420EPA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	MICRO CHIP
TC4420EPA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	Microchip Technology
TC4420EPA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
TC4420EPA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
TC4420EPA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	4-7 НЕДЕЛЬ	104
UCC37322P	Драйвер FET-IGBT	TEXAS INSTRUMENTS
UCC37322P	Драйвер FET-IGBT			270.88
UCC37322P	Драйвер FET-IGBT	TEXAS INSTRUMEN
UCC37322P	Драйвер FET-IGBT	TEXAS
UCC37322P	Драйвер FET-IGBT	4-7 НЕДЕЛЬ	357