STGE50NC60VD
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 50 а
Версия для печати
Технические характеристики STGE50NC60VD
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Конфигурация | Single |
| Серия | PowerMESH™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 90A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 150µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 4.55nF @ 25V |
| Power - Max | 260W |
| Вход | Standard |
| NTC Thermistor | Нет |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | ISOTOP |
| Корпус | ISOTOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
STGE50NC60VD (IGBT)
Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 50 А
Производитель:
STMicroelectronics
|
