STGE200NB60S
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 150 а семейства powermesh™
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
STGE200NB60S (ST MICROELECTRONICS) |
1 |
5 311.88
|
|
|
STGE200NB60S |
 |
7 080.00
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики STGE200NB60S
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerMESH™ |
| Конфигурация | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 100A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 1.56nF @ 25V |
| Power - Max | 600W |
| Вход | Standard |
| NTC Thermistor | Нет |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | ISOTOP |
| Корпус | ISOTOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
STGE200NB60S (IGBT)
N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 150 А семейства PowerMESH™
Производитель:
STMicroelectronics
|
