| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
|
|
288.00
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
338
|
|
|
|
|
КТ203В |
|
|
|
21
|
105.84
|
|
|
|
КТ203В |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ203В |
|
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
|
1 308
|
4.04
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
КРЕМНИЙ
|
1 336
|
11.34
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
510
|
6.30
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
БРЯНСК
|
3 025
|
6.30
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
НАЛЬЧИК
|
5
|
2.10
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
МИНСК
|
373
|
6.30
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
3308
|
|
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
467
|
|
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
474
|
|
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
56
|
|
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
7
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
874
|
11.34
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
13.61
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
3 411
|
4.20
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
4 942
|
6.30
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
766
|
8.40
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
196
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
4264
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
6178
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
762
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
68
|
956.34
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
36
|
515.20
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
173
|
1 312.50
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
104
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
24
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
88
|
|
|
|