| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SK1358 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 9A, 150W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
2SK1358 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 9A, 150W
|
|
|
277.20
|
|
|
|
|
2SK1358 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 9A, 150W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
2SK1358 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 9A, 150W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
|
|
15.64
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
КОМ
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
MIC
|
6
|
10.08
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
KLS
|
156
|
9.74
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
YANGJIE
|
5 400
|
7.26
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
TRR
|
|
|
|
|
|
|
КТ203В |
|
|
|
21
|
114.78
|
|
|
|
|
КТ203В |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
41
|
148.80
|
|
|
|
|
КТ203В |
|
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
792
|
16.38
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
14.84
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
3 395
|
3.72
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
4 908
|
5.58
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
766
|
7.44
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
196
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
4264
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
6178
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
762
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
208
|
1 171.20
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
32
|
595.20
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
124
|
1 292.70
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
104
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
24
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
88
|
|
|
|
Версия для печати
