| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
16K1 F 10K |
|
Резисторы регулировочные однооборотные
|
|
4 539
|
13.32
|
|
|
|
16K1 F 10K |
|
Резисторы регулировочные однооборотные
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
16K1 F 10K |
|
Резисторы регулировочные однооборотные
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
|
|
29.20
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
402
|
13.04
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
ECAP 220/100V 1326 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220мкФ, 100В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 220/100V 1326 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220мкФ, 100В, 105С
|
|
|
60.00
|
|
|
|
ECAP 220/100V 1326 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220мкФ, 100В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
FSC
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
|
2
|
74.00
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
89.79
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 984
|
33.30
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
26.55
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
1 672
|
38.16
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1801
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
290
|
|
|
|